역학 및 공학/반도체 (5) 썸네일형 리스트형 반도체 소재 - SiO2, Si3N4, SiON growth on LPCVD & PECVD 출처 : [반도체 소재] "Si3N4, SiON grown on LPCVD & PECVD" - 딴딴's 반도체사관학교 (tistory.com) [반도체 소재] "Si3N4, SiON grown on LPCVD & PECVD" Silicon Nitride 역시 반도체 산업에서 많이 사용되는 박막 소재입니다. Silicon nitride의 물성과 소재 그리고 각각의 공정을 통해 성장했을 때 특징에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. ■ Silicon Nitride, sshmyb.tistory.com Fundamentals of Electromigration Introduction Material migration : 다양한 힘을 받은 solid 가 material transport 를 일으키는 일반적인 용어 1. chemical diffusion : concentration gradient 로 발생 2. temperature gradient 로 발생 (thermal migration) 3. mechanical stress 로 발생 (stress migration) 4. electrical field 로 발생 (electromigration) - conductor 내의 current flow 는 metal ion 에 2가지 force 를 만듦 1. electrostatic force (Ffield) : 일반적으로 무시 됨 2. crystal lattice 의.. Electromigration aware design motivation - IC scailing 이 진행되면서, current density 는 지속적으로 증가 및 dimension size 감소하여 critical void size 가 더 감소하여, EM 불량 증가 - local layout modification 으로 국부적인 취약 지점 수정 가능하나, routing 단계에서부터 optimization 진행 시, EM robustness 증가 가능. - physical-design stage (특히 routing step) 에서의 EM 고려 설계는 중요함. 왜냐면, 설계의 later stage 의 intervention 은 수정 가능한 option 이 많지 않기 때문에 비효율적임. 반면에, current 는 layout generation 전에 정확히 알 수 없음. (p.. 반도체 디바이스의 주요 고장 메커니즘 반도체 디바이스의 주요 고장 메커니즘 : 네이버 블로그 (naver.com) 반도체 디바이스의 주요 고장 메커니즘 블로그 > I'm none of them.. http://blog.naver.com/cidhiwind/130001642296 ① 앨로이... blog.naver.com Electric migraiton, Stress migration Overview Electromigration (EM) - Thin film 이나 wire 형태의 전도체에 높은 전류 밀도가 가해질 때 Mass transport 가 일어나는 현상. 이로 인하여 hillock, bridge, void 와 같은 defect 이 발생. - EM 이 발생하는 대표적인 2가지 mechanism : Electron Wind Force (1) Electron wind force : 전자가 금속 이온에 momentum (충돌) 을 가하여 cathode 에서 anode 로 atom diffuse 발생. cathode 에는 void, anode 에는 hilock, whisker 발생 (2) Grain boundary diffusion : Grain boundary triple points 에서 meta.. 이전 1 다음
