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역학 및 공학

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CFD KMOOC 정리 *로우 : 밀도 / p : 압력 / g : 중력 상수 (?) / Explicit - 장점 : 기존에 이미 알고 있던 값에 weight 만 곱해주기 때문에, n+1 값을 위해서 새로 연립 방정식을 풀 필요가 없음 - weight 가 양수여야지만 값이 안정적으로 나오는데, weight 가 양수이기 위해서는 dt 가 dx 제곱에 비례하게 줄어들어야 함. 그래야 결과가 안정적으로 나 Crank-Nicolson method 는 시간에 대해 2차 정확도 (?) 를 가지고 있어서, CFD 에서는 implicit, explicit 보다 더 많이 사 fully implicit method 는 weight 가 항상 양수라서, 어떤 시간 간격이든 안정적인 (값이 찌글거리지 않는, 물리적으로 말이 안되지 않는) 값을 얻음 출..
Physics 란 Physcis 우주, 물질, 전기, 열, 에너지, 힘, 공간, 시간, 차원, 생명, 복잡계 등 자연에 대한 근본적인 원리(=보편적인 법칙)와 이를 바탕으로 모든 자연 현상이나 응용하는 방법을 연구하는 자연과학. 한자 그대로 만물의 이치를 탐구하는 학문이다. Physical law A physical law, scientific law, or a law of nature is a scientific generalization based on empirical observations of physical behavior over and over under differenct conditions and be accepted worldwide Major law of physics Law of Universal ..
반도체 소재 - SiO2, Si3N4, SiON growth on LPCVD & PECVD 출처 : [반도체 소재] "Si3N4, SiON grown on LPCVD & PECVD" - 딴딴's 반도체사관학교 (tistory.com) [반도체 소재] "Si3N4, SiON grown on LPCVD & PECVD" Silicon Nitride 역시 반도체 산업에서 많이 사용되는 박막 소재입니다. Silicon nitride의 물성과 소재 그리고 각각의 공정을 통해 성장했을 때 특징에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. ■ Silicon Nitride, sshmyb.tistory.com
Stress singularity 관련 글 Edge 의 Element 에서는 Stress singularity 발생하기 때문에, singularity 가 발생한 element 에서 3개의 element 를 건너뛰고 (강력한 rule 은 아님) stress 가 선형으로 보이는 지점까지의 값에서, extrapolation 하여 stress 를 추출.. 일반적으로 stress singularity 가 발생한 영역에서는 plastic deform 등이 일어나서 relaxation 될 꺼임.. Why do stresses keep going up when the mesh is refined in Nastran (autodesk.com) Why do stresses keep going up when the mesh is refined in Nastran w..
Fundamentals of Electromigration Introduction Material migration : 다양한 힘을 받은 solid 가 material transport 를 일으키는 일반적인 용어 1. chemical diffusion : concentration gradient 로 발생 2. temperature gradient 로 발생 (thermal migration) 3. mechanical stress 로 발생 (stress migration) 4. electrical field 로 발생 (electromigration) - conductor 내의 current flow 는 metal ion 에 2가지 force 를 만듦 1. electrostatic force (Ffield) : 일반적으로 무시 됨 2. crystal lattice 의..
Electromigration aware design motivation - IC scailing 이 진행되면서, current density 는 지속적으로 증가 및 dimension size 감소하여 critical void size 가 더 감소하여, EM 불량 증가 - local layout modification 으로 국부적인 취약 지점 수정 가능하나, routing 단계에서부터 optimization 진행 시, EM robustness 증가 가능. - physical-design stage (특히 routing step) 에서의 EM 고려 설계는 중요함. 왜냐면, 설계의 later stage 의 intervention 은 수정 가능한 option 이 많지 않기 때문에 비효율적임. 반면에, current 는 layout generation 전에 정확히 알 수 없음. (p..
반도체 디바이스의 주요 고장 메커니즘 반도체 디바이스의 주요 고장 메커니즘 : 네이버 블로그 (naver.com) 반도체 디바이스의 주요 고장 메커니즘 블로그 > I'm none of them.. http://blog.naver.com/cidhiwind/130001642296 ① 앨로이... blog.naver.com
Electric migraiton, Stress migration Overview Electromigration (EM) - Thin film 이나 wire 형태의 전도체에 높은 전류 밀도가 가해질 때 Mass transport 가 일어나는 현상. 이로 인하여 hillock, bridge, void 와 같은 defect 이 발생. - EM 이 발생하는 대표적인 2가지 mechanism : Electron Wind Force (1) Electron wind force : 전자가 금속 이온에 momentum (충돌) 을 가하여 cathode 에서 anode 로 atom diffuse 발생. cathode 에는 void, anode 에는 hilock, whisker 발생 (2) Grain boundary diffusion : Grain boundary triple points 에서 meta..

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